1 mm InGaAs PIN фотодиод TO46

Общ преглед на продукта-1mm InGaAs PIN фотодиод TO46

1 mm InGaAs PIN фотодиод (модел BPD-1STO46B-FW) от Box Optronics е високоефективен InGaAs фотодетектор, предназначен за приложения за откриване в близък инфрачервен диапазон (NIR). Отличаващ се с PIN диодна структура, той преобразува падащата оптична мощност в диапазона на дължината на вълната 900–1650nm в пропорционален фототок с висока линейност и чувствителност. С активна зона с диаметър 1 мм. Опакован в херметична метална кутия TO46 с плосък оптичен прозорец, фотодиодът е механично здрав, осигуряващ стабилна работа при взискателни индустриални и лабораторни условия. Тези характеристики го правят отличен избор за наблюдение на оптична мощност, измерване на оптични влакна, лазерно откриване и NIR спектроскопия.

Основни характеристики-1 mm InGaAs PIN фотодиод TO46

• Диаметър на активната зона: 1 mm за ефективно събиране на светлина

• Широк спектрален обхват на реакция: 900nm до 1650nm

• Висока чувствителност: 0,9A/W типично при 1310nm, 0,95A/W при 1550nm

• Свръхнисък тъмен ток, нисък капацитет на прехода

• Висока надеждност и дългосрочна стабилност

• Херметичен метален пакет с плосък прозорец TO46

• Стандартна TO-CAN конфигурация за лесен монтаж

Типични приложения-1 mm InGaAs PIN фотодиод TO46

• Оптични измерватели на мощност и модули за наблюдение на оптична мощност

• Оборудване за тестване и измерване на оптични влакна

• Оптично откриване на сигнали и мониторинг на мощността в телеком системи

• Близка инфрачервена (NIR) спектроскопия и аналитични инструменти

• Системи за мониторинг и контрол на мощността на лазера

• Калибриране и характеризиране на оптичен атенюатор

• Изследвания и разработки в лаборатории по фотоника

• Интегриране на оптичен модул и развитие на фотонна подсистема

Технически спецификации-1mm InGaAs PIN фотодиод TO46

Абсолютни максимални стойности (TC = 25°C)

Електро-оптични характеристики (TC = 25°C)

Подробности за продукта-1mm InGaAs PIN фотодиод TO46

Какво е InGaAs PIN фотодиод?

InGaAs PIN фотодиодът е полупроводников детектор с висока чувствителност, предназначен за оптично откриване в близката инфрачервена област (NIR). Базиран на P-I-N полупроводникова структура, той преобразува падащите фотони във фототок с отлична линейност и стабилност.

Работейки от 900nm до 1700nm, InGaAs фотодиодите осигуряват висока чувствителност в оптичните комуникационни ленти и SWIR региона, което ги прави подходящи за тестване на оптични влакна, наблюдение на оптична мощност, спектроскопия и сензорни приложения.

Активната зона от 1 mm предлага подобрена способност за събиране на светлина и подобрен толеранс на свързване, осигурявайки отличен баланс между чувствителност, гъвкавост на подравняване и скорост на откриване.

Акценти в производителността-1 mm InGaAs PIN фотодиод TO46

• Висока чувствителност и квантова ефективност

• Свръхслаб тъмен ток

• Нисък капацитет и бърза реакция

• Широко спектрално покритие

• Херметичен пакет TO46

Размери на опаковката и дефиниция на щифта-1 mm InGaAs PIN фотодиод TO46

Тип опаковка: Херметична метална кутия TO46, плосък прозорец (TO-CAN 3-пинов)

Диаметър на кутията: φ5,4 ± 0,2 mm (външен), φ4,7 ± 0,1 mm (вътрешен)

Диаметър на прозореца: φ3,9 ± 0,1 мм

Конфигурация на щифта (изглед отдолу): щифт 1 = анод (P-страна), щифт 2 = корпус (GND), щифт 3 = катод (N-страна)

Информация за поръчка

Образцова номенклатура

BPD - X X ДО XX - X - X

Пример: BPD-1STO46B-FW

Лист с данни-1 mm InGaAs PIN фотодиод TO46

Лист с данни

Време за изпълнение

• Стандартни бройки (модели в наличност): 3~5 работни дни

• Стандартна изработка: 10~15 работни дни

• Обемни поръчки: Моля, свържете се за производствен график

• Международна доставка: ~5 работни дни (DHL/UPS/FedEx express)

• Ускорено обслужване: Предлага се при поискване

Бележки за работа и работа-1 mm InGaAs PIN фотодиод TO46

• Фотодиодите са чувствителни към електростатичен разряд (ESD) устройства — винаги използвайте подходяща ESD защита

• Избягвайте да докосвате проводниците директно с голи пръсти, за да предотвратите замърсяване и повреда от ESD

• Съхранявайте неизползваните устройства в ESD-безопасни опаковки или проводими тави, за да предотвратите повреда от електростатичен разряд